未来宽禁带半导体将释放巨大市场潜力和强大发展动力？

发布时间：2021-04-22 16:22:52

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来源:爱集微APP

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4月17-18日，第十五届中国电子信息技术年会在重庆两江新区举行。会上宽禁带半导体及碳基技术被重点提及。

宽禁带半导体

中国科学院院士、中国电子学会副理事长、西安电子科技大学教授郝跃称，目前宽禁带半导体已经在汽车、健康等领域得到了大规模应用。

郝跃还预测，6G通信2030年或将会进入产业化，未来宽禁带半导体将释放巨大市场潜力和强大发展动力。

此外，郝跃表示，中国已经提出了“3060碳排放目标”，也让宽禁带半导体有了更加广阔的前景。当然我们还需要不断努力，在电力总量攀升的同时降低传输过程中的消耗，推动碳达峰、碳中和目标早日实现。

我国在2020年成立了宽禁带半导体器件与集成电路国家工程研究中心，目前已经在氮化镓半导体设备、氮化镓毫米波功率器件等多个领域取得了技术突破。

碳基技术

中国科学院院士、北京大学教授彭练矛表示，随着芯片制造工艺逼近2纳米，硅基芯片材料的潜力已基本被挖掘殆尽，无法满足行业未来进一步发展的需要，启用新材料是公认的从根本上解决芯片性能问题的出路。

彭练矛指出，碳纳米管拥有完美的结构、超薄的导电通道、极高的载流子迁移率和稳定性，未来有望取代传统的硅基集成电路技术。面向后摩尔时代，中国现已基本解决碳纳米管面临的挑战，实现了整套的碳纳米管集成电路和光电器件制备技术，同时也在碳纳米管的无掺杂技术研究方面取得重大突破，使得我国在碳基芯片的基础研究方面迈入全球发展前列。